概述：EN-3020B型分立器件測試儀是用于二極管、IGBT和MOSFET的靜態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準、軍標，系統為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展潛能。
系統特點：
功率源 3000V/200A
測試系統整體采用計算機操控
測試數據由計算機記錄，并進行 Excel 處理
采用脈沖法測試，脈寬為國軍標
自動化程度高（可按設定的程序自動測試）
測試靈活（完美應對器件及多單元模塊測試）
Labview 平臺開發，數據編輯處理功能強，菜單式，模塊化，人機友好設備操作簡單、性能穩定非常適合電氣，電子類廠商, 研究所做 IQC 來料檢驗、器件選型，失效分析以及學校教學和軌道機車地鐵高鐵檢測使用。
●規格環境
尺寸：250×570×280（mm）
質量：15kg
環境溫度：15~40℃
工作電壓；AC220V±10％（無嚴重諧波）
電網頻率：50Hz
通信接口；USB RS232
功能單元 參數指標
基本參數 功率源：3000V/200A
柵極-發射極漏電流 IGES: 0.1-10uA±2％±0.01uA
IGES 集電極電壓VCE: 0V
 柵極電壓 Vge: 5-40V±3％±0.1V
 
 集電極電壓VCES: 200-3000V±2％±10V
集電極-發射極電壓 集電極電流ICES: 0.1-1mA±3％±0.01mA
 柵極電壓 Vge: 0V
集電極-發射極飽和 VCESat:0.1-5V±2％±0.01V
電壓VCESat 柵極電壓Vge: ±15V±2％±0.2V
 集電極電流ICE: 10-100A±2％±1A
 
集電極-發射極截止 集電極電壓VCE: 200-3000V±3％
 集電極電流ICES: 0.1-1mA±3％±0.01mA
電流ICES 
 柵極電壓VGE: 0V
 
柵極-發射極閾值電 VGEth: 1-10V±2％±0.1V
壓 Vce=15V
 
二極管壓降測試 VF: 0.1-5V±2％±0.01V
 IF:5-100A±2％±1A
 
 Vge: 0V
反向擊穿BVR BVR：200-3000V±2％±10V
反向漏電流IR IR：0.1-10mA±3％±0.01mA
 
導通電阻RDS（on） 1-10mΩ±2％±0.1 mΩ
 10-50mΩ±2％±0.5 mΩ